MJD122中文资料PDF规格书
厂商型号 |
MJD122 |
参数属性 | MJD122 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK |
功能描述 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
文件大小 |
246.92 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-26 17:18:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
MJD122三极管、MJD122晶体管、MJD122晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Darl
- 性质:
低频或音频放大 (LF)
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
- 最大电流允许值:
8A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
20W
- 放大倍数:
- 图片代号:
G-127
- vtest:
0
- htest:
999900
- atest:
8
- wtest:
20
MJD122规格书详情
DESCRIPTION
· Low Collector-Emitter saturation voltage
· Lead formed for surface mount applications
· High DC current gain
· 100 avalanche tested
· Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
APPLICATIONS
· Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
产品属性
- 产品编号:
MJD122-1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
4V @ 80mA,8A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 4A,4V
- 频率 - 跃迁:
4MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
CJ原装长电 |
TO-252 |
394943 |
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长电 |
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TO-252 |
24361 |
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ON |
SOT-252 |
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ON/安森美 |
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DPAK |
20000 |
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MOT/ON |
23+ |
TO-252 |
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TO-252 |
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长电/长晶 |
24+ |
SOT-252 |
25000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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CJ/长电 |
2122+ |
TO-252 |
11980 |
只做原装进口正品,假一赔十,价格优势 |
询价 |