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MI90N03	文件：1.00254 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
90N03	文件：1.00141 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
D90N03L	文件：314.24 Kbytes Page：16 Pages	N-channel30V-0.005廓-80A-DPAK/IPAKSTripFET??IIIPowerMOSFET Description ThisdeviceutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology.ThisissuitableforthemostdemandingDC-DCconverterapplicationwherehighefficiencyistobeachieved. Generalfeatures ■RDS(on)*Qgindustry’sbenchmark ■Conductionlossesreduce	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
DTU90N03	文件：1.90333 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFETTrenchFETPowerMOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTU90N03	文件：295.72 Kbytes Page：8 Pages	TrenchFET짰PowerMOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTU90N03	文件：332.837 Kbytes Page：8 Pages	原装正品价格优惠	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 PDF上传者：深圳市粤骏腾电子科技有限公司	ETC
GE90N03	文件：303.25 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GE90N03	文件：299.5 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GU90N03	文件：330.84 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
HRLFS90N03K	文件：232.71 Kbytes Page：7 Pages	100AvalancheTested	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
ME90N03	文件：1.0027 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME90N03P	文件：995.72 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDT90N03	文件：1.93183 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NP90N03VHG	文件：1.00246 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP90N03VHG	文件：227.4 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N03VHGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •Lowinputcapacitance ⎯Ciss=5000pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedfor	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N03VHG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N03VLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N03VLG	文件：1.00244 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP90N03VLG	文件：237.33 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N03VLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ⎯RDS(on)2=8.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) •Lowinputcapacitance ⎯Ciss	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP90N03VUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多MI90N03供应商更新时间2024-5-22 11:36:00

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