MDS60L 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MICROSEMI/美高森美

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厂家型号：
MDS60L
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
MICROSEMI/美高森美
库存数量：
908
产品封装：
N/A
生产批号：
1942+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-29 10:19:00

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原厂料号：MDS60L品牌：Microsemi

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MDS60L是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商Microsemi/Microsemi Corporation生产封装N/A/55AW的MDS60L晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
MDS60L
规格书：
下载下载2
企业简称：
MICROSEMI【美高森美】详情
厂商全称：
Microsemi Corporation
中文名称：
美高森美公司
内容页数：
4 页
文件大小：
70.48 kb
资料说明：
60 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030 - 1090 MHz

产品属性

类型
描述
产品编号：
MDS60L
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
频率 - 跃迁：
1.03GHz ~ 1.09GHz
增益：
10dB
功率 - 最大值：
120W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
4A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
55AW
供应商器件封装：
55AW
描述：
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW

供应商

企业：
深圳市艾宇欣科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
王小姐
手机：
137-5109-0307
询价：
电话：
137-5109-0307/0755-83946758
地址：
深圳市福田区梅林街道上梅社区上梅林新村30号403

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