选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
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10000 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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9350 |
24+ |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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MICROSEMI55AW |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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MicrosemiN/A |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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MICROSEMI55AW |
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MDS60L图片
MDS60L中文资料Alldatasheet PDF
更多MDS60L制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MDS60L - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
MDS60L_11制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:60 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030 - 1090 MHz
产品属性
- 产品编号:
MDS60L
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
65V
- 频率 - 跃迁:
1.03GHz ~ 1.09GHz
- 增益:
10dB
- 功率 - 最大值:
120W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 500mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
4A
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
55AW
- 供应商器件封装:
55AW
- 描述:
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW