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IRF9140	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF9140	文件：152.35 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9140	文件：59.31 Kbytes Page：7 Pages	-19A,-100V,0.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFET -19A,-100V,0.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFET TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Allofthesepow	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRF9140	文件：148.2 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSP-CHANNEL(Vdss=-100V,Rds(on)=0.2ohm,Id=-18A) ProductSummary TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreve	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9140	文件：22.16 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •HERMETICALLYSEALEDTO–3METALPACKAGE •SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS •SCREENINGOPTIONSAVAILABLE	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM9140	文件：214.26 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFM9140	文件：219.85 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFN9140	文件：179.96 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFN9140	文件：174.37 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-1) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFN9140	文件：215.95 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-18A) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFN9140SMD	文件：23.62 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP9140	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFP9140	文件：59.73 Kbytes Page：7 Pages	19A,100V,0.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.ItisaP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistordesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFP9140	文件：1.44912 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP9140	文件：381.33 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliablility	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFP9140	文件：273.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP9140	文件：757.38 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Isolatedcentralmountinghole •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatash	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP9140N	文件：327.49 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP9140N	文件：142.22 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.117ohm,Id=-23A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP9140NPBF	文件：241.76 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
MAX9140EUK
功能描述：
校验器 IC 40ns Low-Power 3V/5V Comparator
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Push-Pull
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.1 V
补偿电压（最大值）：
6 mV
电源电流（最大值）：
1350 nA
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-70-5
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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