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BAS116	文件：177.54 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAS116	文件：232.86 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Lowleakagecurrentapplications. ●Mediumspeedswitchingtimes. ●SurfacemountpackageideallysuitedforautomaticInsertion. APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BAS116	文件：135.66 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARSWITCHINGDIODE LowLeakageApplications	CDIL CDIL	CDIL
BAS116	文件：989.93 Kbytes Page：2 Pages	LowLeakageCurrentApplications	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BAS116	文件：142.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116	文件：124.16 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagediode DESCRIPTION Epitaxialmedium-speedswitchingdiodewithalowleakagecurrentinasmallSOT23plasticSMDpackage. FEATURES •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8µs •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitivepeakreversevoltage:max.8	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS116	文件：68.48 Kbytes Page：2 Pages	225mWSMDSwitchingDiode FEATURES -Lowpowerloss,highcurrentcapability,lowVF -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free) MECHANICAL	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BAS116	文件：116.01 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •LeadHalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS116	文件：266.62 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSwitchingDiode FEATURES •Lowleakagecurrentapplications •Mediumspeedwitchingtimes	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BAS116	文件：406.09 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodes SWITCHINGDIODE225mAMPERES75VOLTS Features: FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion HighConductance ForGeneralPurposeSwitchingApplications	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BAS116	文件：153.56 Kbytes Page：2 Pages	225mWSwitchingDiode Features •Powerdissipation:225mW(Tamb=25°C) •Forwardcurrent:200mA •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Marking:JV •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSComplian	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAS116	文件：72.78 Kbytes Page：6 Pages	SiliconLowLeakageDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAS116	文件：205.21 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakagediode 1.Generaldescription Epitaxialmedium-speedswitchingdiodewithalowleakagecurrentinasmallSOT23plasticSMD package. 2.Featuresandbenefits •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8us •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitiv	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116	文件：1.65502 Mbytes Page：3 Pages	SwitchingDiodes FEATURES VR100V lfav200mA	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
BAS116	文件：579.55 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiode	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
BAS116	文件：1.57893 Mbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiode	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAS116	文件：281.76 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS116	文件：194.85 Kbytes Page：4 Pages	ThreeTerminalsSMDLowLeakageSwitchingDiode	TAITRON TAITRON	TAITRON
BAS116	文件：2.44969 Mbytes Page：4 Pages	SWITCHINGDIODE FEATURES ●Lowleakagecurrentapplications ●Mediumspeedswitchingtimes	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BAS116-AU	文件：335.38 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER250mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •Leadfreeincomplyw	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
LMV116MF/NOPB
功能描述：
运算放大器 - 运放 Sgl Mid-Speed RRO Op amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	LMV116MF/NOPB		13384	SOT23-5	12	美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现	询价
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