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BAS116中文资料PDF规格书

BAS116
厂商型号

BAS116

参数属性

BAS116 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3

功能描述

Low-leakage diode

文件大小

205.21 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 21:06:00

BAS116规格书详情

1. General description

Epitaxial medium-speed switching diode with a low leakage current in a small SOT23 plastic SMD

package.

2. Features and benefits

• Plastic SMD package

• Low leakage current: typ. 3 pA

• Switching time: typ. 0.8 us

• Continuous reverse voltage: max. 75 V

• Repetitive peak reverse voltage: max. 85 V

• Repetitive peak forward current: max. 500 mA.

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• Low leakage current applications in surface mounted circuits.

产品属性

  • 产品编号:

    BAS116

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    215mA

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP
21+
SOT23-3
35200
一级代理/放心采购
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NXP/恩智浦
23+
NA/
80
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24+
SOT-23
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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SOT23-3
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