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BFR193F	文件：54.04 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,F=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR193T	文件：258.26 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR193T	文件：265.88 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR193T	文件：70.12 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR193T	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlarge-signalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlow-noise,high-gainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzandf	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR193TF	文件：146.84 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT-490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages. Feature	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR193TW	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlarge-signalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlow-noise,high-gainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzandf	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR193TW	文件：265.88 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR193TW	文件：258.26 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR193W	文件：77.9 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR193W	文件：56.88 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFR193W	文件：80.59 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR193W	文件：660.91 Kbytes Page：6 Pages	Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR193W	文件：268.46 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFY193	文件：394.35 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.3dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY193	文件：122.94 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductorForlownoise,highgainbroadbandamplifiersupto2GHz.) Features •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz,F=2.3dBat2GHz •eesaqualified •ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFY193	文件：149.81 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY193ES	文件：394.35 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.3dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY193H	文件：394.35 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.3dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY193P	文件：394.35 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.3dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
LM193J
制造商：
Texas Instruments
功能描述：
Comparator Dual ±18V/36V 8-Pin CDIP Rail
功能描述：
COMPARATOR DUAL 18V/36V 8CDIP - Rail/Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	LM193J/883	TI(德州仪器)	23+	标准封装	9548	原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	LM193J/883	Texas Instruments	24+	CDIP-8	25350	TI优势主营型号-原装正品	询价
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更多LM193J供应商更新时间2024-5-24 17:51:00

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