NPN Silicon RF Transistor*

• For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

• For linear broadband amplifiers

• fT = 8 GHz, F = 1 dB at 900 MHz

• Pb-free (RoHS compliant) package1)

• Qualified according AEC Q101

* Short term description

BFR193F属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。英飞凌科技公司制造生产的BFR193F晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。