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MAX5802	文件：4.68354 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Dual-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5800/MAX5801/MAX58022-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5800/MAX5801/MAX5802acceptawidesupplyvoltageran	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MCH5802	文件：48.18 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithaP-ChannelSilliconMOSFET(MCH3308)andaSchottkyBarrierDiode(SBS006M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. [MOSFET] •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedsw	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NJL5802K	文件：180.67 Kbytes Page：5 Pages	DIGITALOUTPUTPHOTOREFLECTOR	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJL5802K-F	文件：180.67 Kbytes Page：5 Pages	DIGITALOUTPUTPHOTOREFLECTOR	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NTD5802N	文件：135.5 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,SingleN?묬hannel,101ADPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5802N	文件：1.32814 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTD5802N	文件：107.56 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5802N	文件：130.24 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,SingleN?묬hannel,101ADPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5802NS	文件：1.57382 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
NTE5802	文件：59.17 Kbytes Page：3 Pages	NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27 Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
NVD5802N	文件：130.24 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,SingleN?묬hannel,101ADPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PT5802	文件：227.11 Kbytes Page：13 Pages	18AOutputCurrent	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
PT5802	文件：203.27 Kbytes Page：11 Pages	18-A5-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SIDR5802EP	文件：178.81 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel80V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®GenVpowerMOSFET •VerylowRDS-Qgfigure-of-merit(FOM) •TunedforthelowestRDS-QossFOM •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Synchronousrectification •Prima	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIR5802DP	文件：244.39 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenVpowerMOSFET •Ultra-lowRDSxQgFOMproduct •OptimizedQgd/Qgsratio •Excellentefficiencyperformancein powersupplies •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SPD5802	文件：148.76 Kbytes Page：2 Pages	LOWLEAKAGE2.0AMPS50-150VOLTS25nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER	SSDI SSDI	SSDI
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