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NVD5802N	文件：130.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 40 V, Single N?묬hannel, 101 A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5802NT4G	文件：107.56 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5802NT4G	文件：130.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 40 V, Single N?묬hannel, 101 A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
5802	文件：982.73 Kbytes Page：3 Pages	.050횞.100for.025PitchCable	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
5802	文件：439.76 Kbytes Page：6 Pages	SealedTinyPushbuttonSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
5802	文件：380.78 Kbytes Page：2 Pages	BoardtoBoardConnector	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社	KSS
5802MN	文件：462.98 Kbytes Page：6 Pages	738AADEMCO™INTERFACE DESCRIPTION The738AAdemcoInterface Moduleallowsyoutointerface Ademco5881wirelessreceivers withtheXR150/XR550Series andXT30/XT50Seriespanels. See“Compatibility”forspecific firmwarelevels.Themodule providesupto32supervised, programmablezonesofAdemco wirelesstr	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ADL5802	文件：376.42 Kbytes Page：8 Pages	DualChannelHigh-IP3100MHz-6GHzActiveMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADL5802	文件：790.5 Kbytes Page：32 Pages	DualChannel,HighIP3,100MHzto6GHzActiveMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADL5802-EVALZ	文件：790.5 Kbytes Page：32 Pages	DualChannel,HighIP3,100MHzto6GHzActiveMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADL5802-EVALZ	文件：376.42 Kbytes Page：8 Pages	DualChannelHigh-IP3100MHz-6GHzActiveMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADL5802XCPZ-WP	文件：376.42 Kbytes Page：8 Pages	DualChannelHigh-IP3100MHz-6GHzActiveMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AL5802	文件：1.19979 Mbytes Page：11 Pages	30V,ADJUSTABLECURRENTSINKLINEARLEDDRIVER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AL5802	文件：1.03547 Mbytes Page：11 Pages	30V,ADJUSTABLECURRENTSINKLINEARLEDDRIVER Description TheAL5802combinesahighgainNPNtransistorwithapre-biasedNPNtransistortomakeasimplesmallfootprintLEDdriver. Features •ReferencevoltageVRSET=0.65V •-40to+125°Ctemperaturerange •0.8Vto30Vopen-collectoroutput •Negativetemperatureco-efficient–auto	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AL5802LP	文件：1.0282 Mbytes Page：10 Pages	LEDDRIVER,30V,LINEAR,ADJUSTABLE,CURRENTSINK Description TheAL5802LPcombinesahigh-gainNPNtransistorwithaprebiasedNPNtransistortomakeasimple,smallfootprintLEDdriver. Features •ReferenceVoltageVREXT=0.65V •-40to+125°COperatingTemperatureRange •0.8Vto30VOpen-CollectorOutput •NegativeTemperatureCoeffic	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AL5802LPL	文件：1.22919 Mbytes Page：11 Pages	LEDDRIVER,30V,LINEAR,ADJUSTABLE,CURRENTSINK Description TheAL5802LPLcombinesahigh-gainNPNtransistorwithaprebiasedNPNtransistortomakeasimple,smallfootprintLEDdriver. Features •ReferenceVoltageVREXT=0.65V •-40to+125°COperatingTemperatureRange •0.8Vto30VOpen-CollectorOutput •NegativeTemperatureCoeffi	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AON5802	文件：3.28545 Mbytes Page：4 Pages	Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON5802usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswi	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON5802A	文件：126.39 Kbytes Page：4 Pages	Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON5802usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswi	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON5802B	文件：435.26 Kbytes Page：5 Pages	Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON5802B/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbidirectionalloadswitch,facilitatedby	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AT5802	文件：258.88 Kbytes Page：12 Pages	Preliminary4-ChanneldriverPowerController	Aimtron 园创	Aimtron

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详细参数

型号：
NVD5802N
功能描述：
MOSFET DPAK 3W SMT PBF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振芯物联科技有限公司	NVD5802N	ON	22+	TO-252	28600	只做原装正品现货假一赔十一级代理	询价
深圳市环球伟业电子有限公司	NVD5802N	ON/ON Semiconductor/安森美/安	21+	TO-252	100	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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深圳市华来深电子有限公司	NVD5802NT4G	ON	23+	TO-252	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市纳立科技有限公司	NVD5802NT4G-VF01		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
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更多NVD5802N供应商更新时间2024-6-12 14:08:00

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