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KSB1151中文资料PDF规格书

KSB1151
厂商型号

KSB1151

参数属性

KSB1151 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 60V 5A TO126-3

功能描述

PNP (LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT)

文件大小

160.33 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Samsung Group
企业简称

Samsung三星

中文名称

三星半导体官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-3 9:23:00

晶体管资料

  • 型号:

    KSB1151

  • 别名:

    KSB1151三极管、KSB1151晶体管、KSB1151晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SB1127,2SB1140,2SB1143,2SB1151,2SB1165,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-100

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    20

KSB1151规格书详情

LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT

HIGH POWER DISSIPATION: PT=1.3W (Ta=25 °C)

Complementary to KSD1691

产品属性

  • 产品编号:

    KSB1151YSTSSTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 2A,1V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 5A TO126-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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