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KSB1022中文资料PDF规格书

KSB1022
厂商型号

KSB1022

参数属性

KSB1022 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP DARL 60V 7A TO220F-3

功能描述

High Power Switching Applications

文件大小

47.69 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 16:54:00

晶体管资料

  • 型号:

    KSB1022

  • 别名:

    KSB1022三极管、KSB1022晶体管、KSB1022晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SB1022,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

    β=2000-15000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    7

  • wtest:

    30

KSB1022规格书详情

High Power Switching Applications

• High DC Current Gain

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage

• Complement to KSD1417

产品属性

  • 产品编号:

    KSB1022TU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 14mA,7A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 3A,3V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 60V 7A TO220F-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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