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IXSK35N120AU1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXSK35N120AU1
厂商型号

IXSK35N120AU1

参数属性

IXSK35N120AU1 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 70A 300W TO264

功能描述

High Voltage IGBT with Diode
IGBT 1200V 70A 300W TO264

文件大小

40.59 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-1 11:04:00

IXSK35N120AU1规格书详情

Combi Pack

Short Circuit SOA Capability

Features

• International standard package

JEDEC TO-264 AA

• High frequency IGBT and anti-parallel

FRED in one package

• 2nd generation HDMOSTM process

• Low VCE(sat)

- for minimum on-state conduction

losses

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

• Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

- soft recovery with low IRM

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

Advantages

• Space savings (two devices in one

package)

• Easy to mount with one screw

(isolated mounting screw hole)

• High power density

IXSK35N120AU1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXSK35N120AU1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXSK35N120AU1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    10mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    80ns/400ns

  • 测试条件:

    960V,35A,2.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264AA(IXSK)

  • 描述:

    IGBT 1200V 70A 300W TO264

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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