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IXGT45N120分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGT45N120
厂商型号

IXGT45N120

参数属性

IXGT45N120 封装/外壳为TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 75A 300W TO268

功能描述

IGBT
IGBT 1200V 75A 300W TO268

文件大小

64.41 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-6 11:00:00

IXGT45N120规格书详情

IGBT

High Voltage, Low VCE(sat)

Features

● International standard packages

JEDEC TO-268 and JEDEC TO-247 AD

● High current handling capability

● MOS Gate turn-on - drive simplicity

● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switched-mode and resonant-mode power supplies

● Capacitor discharge

Advantages

● High power density

● Suitable for surface mounting

● Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)

IXGT45N120属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGT45N120晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXGT45N120

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,45A

  • 开关能量:

    14mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    55ns/370ns

  • 测试条件:

    960V,45A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

  • 供应商器件封装:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 1200V 75A 300W TO268

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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