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HM20N120AB	文件：804.31 Kbytes Page：8 Pages	KEDAPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergyefficiencyforapplication	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM20N120T	文件：968.93 Kbytes Page：9 Pages	H&MNPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM20N120TB	文件：813.96 Kbytes Page：8 Pages	KEDAPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergyefficiencyforapplication	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IHW20N120R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW20N120R	文件：358.29 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: •PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage •Bodydiodeclampsnegativevoltages •TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior •NPTtechnologyoffers	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IXDA20N120AS	文件：54.05 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBT HighVoltageIGBT ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●highswitchingspeed ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●Internationalstandardp	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXDH20N120	文件：74.06 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientfor easyparalleling ●MOSinpu	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXER20N120	文件：364.02 Kbytes Page：4 Pages	NPT3IGBTinISOPLUS247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK20N120	文件：574.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK20N120	文件：328.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK20N120P	文件：328.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.57Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK20N120P	文件：122.12 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN20N120	文件：572.36 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackage •miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN20N120P	文件：113.97 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET Polar™PowerMOSFETHiPerFET™ N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackage •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •Fastrecoverydiode •UnclampedInductive	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR20N120	文件：330.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=630mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR20N120P	文件：117.18 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX20N120	文件：574.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX20N120	文件：367.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX20N120P	文件：122.12 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGA20N120	文件：78.17 Kbytes Page：2 Pages	IGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-220ABandTO-263AA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switch-modeand	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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产品属性

产品编号：
IXGP20N120B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.4V @ 15V，20A
开关能量：
2.1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/150ns
测试条件：
960V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT 1200V 40A 190W TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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