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IXGP20N120A3分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXGP20N120A3 |
| 参数属性 | IXGP20N120A3 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 1200V 40A 180W TO220 |
| 功能描述 | GenX3 1200V IGBTs |
| 文件大小 |
241.79 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-1 23:00:00 |
IXGP20N120A3规格书详情
Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 3 kHz Switching
VCES= 1200V
IC110 = 20A
VCE(sat) ≤2.5V
Features
Optimized for Low Conduction Losses
International Standard Packages
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
Inrush Current Protection Circuits
IXGP20N120A3属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGP20N120A3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
IXGP20N120A3
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
GenX3™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，20A
- 开关能量：
2.85mJ（开），6.47mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
16ns/290ns
- 测试条件：
960V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 1200V 40A 180W TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA/ |
150 |
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IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO220 |
58000 |
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IXYS/艾赛斯 |
TO-220 |
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IXYS-艾赛斯 |
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TO-220-3 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-220 |
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IXYS |
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IXYS |
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TO-220 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
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IXYS |
23+ |
TO-220-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 |
