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IXGP12N60B分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IXGP12N60B |
参数属性 | IXGP12N60B 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 24A 100W TO220AB |
功能描述 | HiPerFAST IGBT |
文件大小 |
73.29 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
企业简称 |
IXYS |
中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-21 20:00:00 |
IXGP12N60B规格书详情
Features
• Moderate frequency IGBT and antiparallel FRED in one package
• New generation HDMOSTM process
• International standard package JEDEC TO-220AB and TO-263AA
• High peak current handling capability
Applications
• PFC circuit
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
• Switch-mode and resonant-mode power supplies
IXGP12N60B属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGP12N60B晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
IXGP12N60B
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
HiPerFAST™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,12A
- 开关能量:
500µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
20ns/150ns
- 测试条件:
480V,12A,18 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 24A 100W TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO220 |
58000 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA/ |
13888 |
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IXYS/艾赛斯 |
2022 |
TO220 |
80000 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS |
22+ |
TO220AB |
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IXYS |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
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IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
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IXYS |
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TO220 |
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IXYS |
23+ |
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IXYS |
23+ |
TO220AB |
9000 |
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