| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-3PL |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-3PL |
564 |
23+ |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-3PL |
564 |
23+ |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯06 |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-3PL |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
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IXYS/艾赛斯TO-264 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYSTO264 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO264 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO264 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IXYSTO-3PL |
18000 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-264 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-264 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-264 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-3PL |
9890 |
2122+ |
全新原装进口,优势渠道,价格美丽,可出样品来电咨询 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSTO264 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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IXYSTO-3PL |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IXYSTO-264 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-264 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-3PL |
560 |
23+ |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-3PL |
560 |
23+ |
IXGK50N60采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGK50N60图片
IXGK50N60BD1价格
IXGK50N60BD1价格：￥0.0000品牌：IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGK50N60BD1多少钱，想知道IXGK50N60BD1价格是多少？参考价：￥0.0000。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXGK50N60BD1批发价格及采购报价，IXGK50N60BD1销售排行榜及行情走势，IXGK50N60BD1报价。
IXGK50N60C2D1中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGK50N60A2D1制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Diode
IXGK50N60A2U1功能描述:IGBT 晶体管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGK50N60AU1功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGK50N60B功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGK50N60B2D1功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGK50N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGK50N60BU1功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGK50N60C2D1功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.5V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
