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IXGK50N60C2D1

HiPerFAST IGBT with Diode

HiPerFASTTMIGBTwithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •VeryhighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandl

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXGK50N60C2D1

包装:管件 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 75A 480W TO264AA

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IXGR50N60C2D1

HiPerFASTIGBTwithDiodeC2-ClassHighSpeedIGBTs

Features •VeryhighfrequencyIGBTandanti-parallelFREDinonepackage •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-modeandresonant-modepowersuppli

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IXYS Integrated Circuits Division

IXGX50N60C2D1

HiPerFASTIGBTwithDiode

HiPerFASTTMIGBTwithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •VeryhighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandl

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号:

    IXGK50N60C2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    380µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    18ns/115ns

  • 测试条件:

    480V,40A,2 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264(IXGK)

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 480W TO264AA

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更多IXGK50N60C2D1供应商 更新时间2024-4-30 15:30:00