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IXGH36N60B3D1

GenX3 600V IGBT w/ Diode

Medium-SpeedLow-VsatPTIGBT for5-40kHzSwitching Features •OptimizedforLowConductionand SwitchingLosses •SquareRBSOA •Anti-ParallelUltraFastDiode •InternationalStandardPackage Advantages •HighPowerDensity •LowGateDriveRequirement Applications •PowerInver

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXGH36N60B3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXGH36N60B3D1

包装:管件 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 250W TO247AD

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号:

    IXGH36N60B3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    540µJ(开),800µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    19ns/125ns

  • 测试条件:

    400V,30A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 250W TO247AD

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更多IXGH36N60B3D1供应商 更新时间2024-5-15 11:00:00