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IXGH32N60B	文件：35.55 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFAST IGBT Features •Internationalstandardpackages •HighfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage •Highcurrenthandlingcapability •HiPerFASTTMHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switched-modeandresonant-mode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGH32N60B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 200W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGH32N60BD1	文件：69.79 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFAST IGBTwith Diode Features •Internationalstandardpackages •HighfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage •Highcurrenthandlingcapability •HiPerFASTTMHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switched-modeandresonant-mode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGH32N60BU1	文件：139.14 Kbytes Page：6 Pages	HiPerFAST IGBT with Diode Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-247SMD •HighfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage •Highcurrenthandlingcapability •NewestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdri	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGH32N60B_03	文件：132.82 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFAST IGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
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IXGH32N60BD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 200W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGH32N60BU1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 200W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
CCP-32N60-D	文件：408.72 Kbytes Page：6 Pages	LowPIMDC??GHz	WILLOW Willow Technologies Ltd
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IXFK32N60	文件：192.1 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFET HiPerFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •JEDECTO-264AA,epoxymeet UL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpol	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK32N60	文件：328.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFN32N60	文件：192.1 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFET HiPerFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •JEDECTO-264AA,epoxymeet UL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpol	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGH32N60A	文件：44.07 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT Features ●Internationalstandardpackages JEDECTO-247SMDsurfacemountableandJEDECTO-247AD ●Highcurrenthandlingcapability ●2ndgenerationHDMOSTMprocess ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchopp	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
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IXGH32N60C	文件：117.66 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTIGBTLightspeedSeries Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-247andsurfacemountableTO-268 •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications •PFCcircuits •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switched-modeandresonant-	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGR32N60C	文件：544.63 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTTMIGBTLightspeedSeriesISOPLUS247TMpackage(ElectricallyIsolatedBackSide) Features •DCBIsolatedmountingtab •MeetsTO-247ADpackageOutline •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switched-modeandresonant-modep	IXYS IXYS Integrated Circuits Division

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产品属性

产品编号：
IXGH32N60B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，32A
开关能量：
800µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/100ns
测试条件：
480V，32A，4.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 60A 200W TO247AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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