| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
32365 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市水星电子有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
4189 |
23+ |
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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原装TO-247 |
8900 |
1923+ |
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳宝隆芯业科技有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
10000 |
22+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
900 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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IXYSTO-247AD(IXGH) |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36200 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
5425 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
45980 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO247 |
9850 |
20+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
IXGH30N120采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGH30N120图片
IXGH30N120B3D1价格
IXGH30N120B3D1价格：￥31.7255品牌：IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGH30N120B3D1多少钱，想知道IXGH30N120B3D1价格是多少？参考价：￥31.7255。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXGH30N120B3D1批发价格及采购报价，IXGH30N120B3D1销售排行榜及行情走势，IXGH30N120B3D1报价。
IXGH30N120IH中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH30N120B3制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 1200V IGBTs
IXGH30N120B3D1功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH30N120BD1功能描述:MOSFET 50 Amps 1200V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXGH30N120C3H1功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXGH30N120IH功能描述:MOSFET 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
