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IXGH30N120B3D1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
IXGH30N120B3D1 |
| 参数属性 | IXGH30N120B3D1 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 1200V 300W TO247AD |
| 功能描述 | GenX3 1200V IGBT |
| 文件大小 |
221.58 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-14 18:40:00 |
IXGH30N120B3D1规格书详情
High speed Low Vsat PT
IGBTs 3-20 kHz switching
VCES = 1200V
IC110 = 30A
VCE(sat) ≤£ 3.5V
Tfi(typ) = 204ns
Features
Optimized for low conduction and switching losses
Square RBSOA
Anti-parallel ultra fast diode
International standard packages
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Welding Machines
IXGH30N120B3D1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGH30N120B3D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
IXGH30N120B3D1
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
GenX3™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.5V @ 15V，30A
- 开关能量：
3.47mJ（开），2.16mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
16ns/127ns
- 测试条件：
960V，30A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 300W TO247AD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
45980 |
正品授权货源可靠 |
询价 | |||
IXYS |
2016+ |
TO-247 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA/ |
25 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
IXYS |
21+ |
TO247AD (IXGH) |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
TO-247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
6328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 |
