选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Littelfuse/IXYSTO-247 |
7814 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
52388 |
23+ |
原装正品 华强现货 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
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IXYSTO2473 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
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IXYS/艾赛斯NA |
1120 |
22+ |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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IXYSTO-247 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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IXYSTO-247 |
217 |
1932+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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IXYS/艾赛斯NA/ |
118 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IXYS |
2173 |
18+ |
公司大量全新正品 随时可以发货 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
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IXYS模块 |
300 |
2015 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-247 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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ITO-247AD |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
1344 |
23+ |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
1344 |
23+ |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IXYSTO-3P |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ITO-247AD |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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IXFH30N50图片
IXFH30N50P价格
IXFH30N50P价格:¥21.9750品牌:IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXFH30N50P多少钱,想知道IXFH30N50P价格是多少?参考价:¥21.9750。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXFH30N50P批发价格及采购报价,IXFH30N50P销售排行榜及行情走势,IXFH30N50P报价。
IXFH30N50中文资料Alldatasheet PDF
更多IXFH30N50功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH30N50P功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH30N50Q功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH30N50Q3功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH30N50S功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247VAR