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IXFB300N10P	文件：372.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=300A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRITION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFB300N10P	文件：140.7 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFB300N10P	文件：134.14 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFB300N10P_V01	文件：140.7 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN300N10P	文件：125.8 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET Polar™HiPerFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •InternationalStandardPackage •miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation •LowRDS(on)andQG •AvalancheRated •LowPackageInductance •FastIntrinsicRectifier Advantages •H	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN300N10P	文件：128.28 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
RSJ300N10	文件：1.18007 Mbytes Page：7 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SD300N10PC	文件：149.46 Kbytes Page：1 Pages	StandardRecovery StandardRecovery250-380Amps	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SD300N10PC	文件：149.46 Kbytes Page：1 Pages	StandardRecovery	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
IXFB300N10P
功能描述：
MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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