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IXD611S1T/R

包装:卷带(TR) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXD611S1

600V,600mAHighandLow-sideDriver

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXD611S1

600V,600mAHigh&Low-sideDriverforN-ChannelMOSFETsandIGBTs

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号:

    IXD611S1T/R

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 35V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    2.4V,2.7V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    600mA,600mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    28ns,18ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
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更多IXD611S1T/R供应商 更新时间2024-4-29 10:01:00