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IXBT12N300	文件：183.67 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ●HighBlockingVoltage ●InternationalStandardPackages ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGen	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBT12N300	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 3000V 30A 160W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBT12N300HV	文件：253.8 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ●HighVoltagePackage ●HighBlockingVoltage ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensityApplications: ●Switch-ModeandResonant-Mode PowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGenerators ●Ca	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBT12N300HV	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 3000V 30A 160W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBA12N300HV	文件：253.8 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltage,HighGainBiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features ●HighVoltagePackage ●HighBlockingVoltage ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensityApplications: ●Switch-ModeandResonant-Mode PowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGenerators ●Ca	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBF12N300	文件：207.3 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBH12N300	文件：183.67 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor Features ●HighBlockingVoltage ●InternationalStandardPackages ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGen	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXBH12N300	文件：183.67 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor Features ●HighBlockingVoltage ●InternationalStandardPackages ●Anti-ParallelDiode ●LowConductionLosses Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensity Applications: ●Switched-ModeandResonant-ModePowerSupplies ●UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ●LaserGen	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

产品属性

产品编号：
IXBT12N300
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
托盘
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，12A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268AA
描述：
IGBT 3000V 30A 160W TO268

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