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ISO5852SMDWREP	文件：1.6761 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ISO5852SMDWREP	文件：1.67464 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
5852	文件：69.76 Kbytes Page：3 Pages	CustomerSpecification	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
5852	文件：98.68 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction 1)Component11X1HOOKUP a)Conductor28(7/36)AWGSilverPlatedCopper0.015 b)Insulation0.010Wall,Nom.PTFE0.035+/-0.004 (1)Color(s) WHITE,BLACK,RED,GREEN,YELLOW,BLUE,BROWN ORANGE,GRAY,VIOLET,WHITE/BLACK,WHITE/BLUE WHITE/ORANGE,WHITE/VIOLET	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
5852	文件：3.18812 Mbytes Page：60 Pages	IntroductiontoKnowlesPrecisionDevices Applications RFamplifier LCFiltersandNetworks BroadbandWirelessLAN MedicalDevices CordlessandCellularphones DR/CrystalOscillator Microstriplinefilters	KNOWLESKnowles Knowles	KNOWLES
CPH5852	文件：56.23 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypecontainingaP-ChannelMOSFET(MCH3312)andaSchottkyBarrierDiode(SB1003M3),facilitatinghigh-densitymounting. •[MOS] •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •4Vdrive •[SBD]	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
IRF5852	文件：239.7 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V) Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852	文件：130.009 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852	文件：132.21 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852PBF	文件：206.02 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852TR	文件：132.21 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852TRPBF	文件：130.009 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISO5852S	文件：1.67464 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ISO5852S	文件：1.4767 Mbytes Page：37 Pages	High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithSplitOutputsandActiveSafetyFeatures	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ISO5852S	文件：1.6761 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ISO5852SDW	文件：1.4767 Mbytes Page：37 Pages	High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithSplitOutputsandActiveSafetyFeatures	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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ISO5852S-EP	文件：1.67464 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ISO5852S-EP	文件：1.6761 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
KS5852	文件：315.69 Kbytes Page：6 Pages	CMOSINTEGRATEDCIRCUIT	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung

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