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ISO5852SDW	文件：1.4767 Mbytes Page：37 Pages	High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver with Split Outputs and Active Safety Features	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ISO5852SDWR	文件：1.4767 Mbytes Page：37 Pages	High-CMTI 2.5-A / 5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver with Split Outputs and Active Safety Features	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ISO5852SDWEVM-017	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装功能：栅极驱动器类别：开发板，套件，编程器评估和演示板及套件描述：DEVELOPMENT INTERFACE	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
5852	文件：69.76 Kbytes Page：3 Pages	CustomerSpecification	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
5852	文件：98.68 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction 1)Component11X1HOOKUP a)Conductor28(7/36)AWGSilverPlatedCopper0.015 b)Insulation0.010Wall,Nom.PTFE0.035+/-0.004 (1)Color(s) WHITE,BLACK,RED,GREEN,YELLOW,BLUE,BROWN ORANGE,GRAY,VIOLET,WHITE/BLACK,WHITE/BLUE WHITE/ORANGE,WHITE/VIOLET	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
5852	文件：3.18812 Mbytes Page：60 Pages	IntroductiontoKnowlesPrecisionDevices Applications RFamplifier LCFiltersandNetworks BroadbandWirelessLAN MedicalDevices CordlessandCellularphones DR/CrystalOscillator Microstriplinefilters	KNOWLESKnowles Knowles	KNOWLES
CPH5852	文件：56.23 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypecontainingaP-ChannelMOSFET(MCH3312)andaSchottkyBarrierDiode(SB1003M3),facilitatinghigh-densitymounting. •[MOS] •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •4Vdrive •[SBD]	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
IRF5852	文件：239.7 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V) Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852	文件：130.009 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852	文件：132.21 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852PBF	文件：206.02 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852TR	文件：132.21 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF5852TRPBF	文件：130.009 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseN-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ThisDua	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISO5852S	文件：1.67464 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ISO5852S	文件：1.4767 Mbytes Page：37 Pages	High-CMTI2.5-A/5-AIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverwithSplitOutputsandActiveSafetyFeatures	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ISO5852S	文件：1.6761 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ISO5852S-EP	文件：1.67464 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ISO5852S-EP	文件：1.6761 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ISO5852SMDWREP	文件：1.67464 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
ISO5852SMDWREP	文件：1.6761 Mbytes Page：43 Pages	High-CMTI2.5-Aand5-AReinforcedIsolatedIGBT,MOSFETGateDriverWithSplitOutputsandActiveProtectionFeatures	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市英特法电子科技有限公司	ISO5852SDW	TI/德州仪器	23+	SOIC-16	4000	原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供	询价
深圳市胜彬电子有限公司	ISO5852SDW	TI/德州仪器	22+/23+	SOIC-16	5220	A3-7货柜原装正品支持实单	询价
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