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ISL6612AEIBZ	文件：305.95 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP TheISL6612AandISL6613AarehighfrequencyMOSFET driversspecificallydesignedtodriveupperandlowerpower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuck convertertopology.ThesedriverscombinedwithHIP63xxor ISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandN-Channel MOSFETsformcom	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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LMH6612	文件：1.44875 Mbytes Page：30 Pages	PowerWise짰SingleSupply345MHzRail-to-RailOutputAmplifiers	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
LMH6612MA	文件：1.36349 Mbytes Page：32 Pages	SingleSupply345MHzRail-to-RailOutputAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMH6612MA/NOPB	文件：2.64771 Mbytes Page：42 Pages	SingleSupply345MHzRail-to-RailOutputAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMH6612MANOPB	文件：2.64771 Mbytes Page：42 Pages	LMH6611/LMH6612SingleSupply345MHzRail-to-RailOutputAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6612MAX	文件：1.36349 Mbytes Page：32 Pages	SingleSupply345MHzRail-to-RailOutputAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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产品属性

产品编号：
ISL6612IR
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.25A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
26ns，18ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
10-DFN（3x3）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

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更多ISL6612IR供应商更新时间2024-6-14 16:21:00

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