| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INTERSILQFN-10 |
68 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INTERSIQFN10 |
8529 |
1736+ |
只做进口原装正品假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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intersilQFN |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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QFN |
68900 |
intersil |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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INTERSILDFN |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INTERSILQFN10 |
6528 |
1815+ |
只做原装正品现货!或订货,假一赔十! |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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IntersilICMOSFETDRVRSYNCBUCK10-D |
5058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨.DFN-10 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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INTERSILDFN-10 |
252 |
13+ |
门市原装现货!支持实单,一片起卖! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INTERSILDFN |
8650 |
23+ |
全新原装现货 热卖优势库存 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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INTERSILDFN |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Intersil10DFN |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INTERSIQFN10 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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INTERSILDFN |
25500 |
23+ |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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INTERSILDFN |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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INTERSILDFN |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INTERSILDFN |
18000 |
22+ |
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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INTERSILQFN |
2000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Renesas Electronics America In10-VFDFN 裸露焊盘 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装，诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
ISL6613CRZ采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
ISL6613CRZ图片
ISL6613CRZ中文资料Alldatasheet PDF
更多ISL6613CRZ功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
ISL6613CRZ-T功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:6,000 系列:*
产品属性
- 产品编号：
ISL6613CRZ
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
同步
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.25A，2A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
26ns，18ns
- 工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
10-VFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
10-DFN（3x3）
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
