首页>IS43DR86400D>规格书详情

IS43DR86400D集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

IS43DR86400D
厂商型号

IS43DR86400D

参数属性

IS43DR86400D 封装/外壳为60-TFBGA;包装为管件;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

功能描述

Differential data strobe
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

文件大小

1.65495 Mbytes

页面数量

48

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSIISSI公司

中文名称

ISSI有限公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-15 16:54:00

IS43DR86400D规格书详情

IS43DR86400D属于集成电路(IC) > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS43DR86400D存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    IS43DR86400D-25DBLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-TWBGA(8x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
1844+
BGA60
6528
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
ISSI
BGA
68900
原包原标签100%进口原装常备现货!
询价
ISSI-矽成
24+25+/26+27+
BGA-60
9328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
ISSI
23+
FBGA60
90000
专营进口原装正品假一赔十可开增票
询价
ISSI
23+
NA/
300
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
ISSI Integrated Silicon Soluti
22+
60TWBGA (10.5x8)
9000
原厂渠道,现货配单
询价
ISSI
1651+
?
8450
只做原装进口,假一罚十
询价
ISN
2021+
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
ISSI, Integrated Silicon Solu
23+
60-TWBGA8x10.5
7300
专注配单,只做原装进口现货
询价
ISSI, Integrated Silicon Solut
24+
60-TFBGA
9350
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
询价