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IS43DR86400集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
IS43DR86400 |
| 参数属性 | IS43DR86400 封装/外壳为60-TFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
| 功能描述 | Clock frequency up to 400MHz |
| 文件大小 |
867 Kbytes |
| 页面数量 |
29 页 |
| 生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企业简称 |
ISSI【ISSI公司】 |
| 中文名称 | ISSI有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-18 16:42:00 |
IS43DR86400规格书详情
IS43DR86400属于集成电路（IC） > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS43DR86400存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号：
IS43DR86400C-25DBLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR2
- 存储容量：
512Mb（64M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
60-TFBGA
- 供应商器件封装：
60-TWBGA（8x10.5）
- 描述：
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
BGA |
68900 |
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询价 | |||
ISSI |
23+ |
NA/ |
5250 |
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询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
23+ |
TWBGA60(8x10.5) |
7350 |
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询价 | ||
INTEGRATEDSILICONSOLUTION |
2022+ |
5000 |
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ISSI |
21+ |
BGA |
560 |
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ISSI |
23+ |
NA |
5 |
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ISSI, |
21+ |
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ISSI |
23+ |
60-TWBGA(10x10.5) |
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ISSI |
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ISSI |
FBGA60 |
6000 |
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