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IRS21850STRPBF	文件：344.86 Kbytes Page：20 Pages	Gate drive supply range from 10 V to 20 V Description TheIRS21850isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTsinglehigh-sidedriverwithpropagationdelaymatchedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thefloatinglogicinputiscompatiblewithstandard	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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产品属性

产品编号：
IRS21850STRPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
高端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4A，4A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

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