IRS21850S中文资料PDF规格书
IRS21850S规格书详情
Description
The IRS21850 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT single high-side driver with propagation delay matched output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The floating logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic and can be operated up to 600 V above the ground. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFETor IGBT in the high-side configuration, which operates up to 600 V.
IC Features
• Gate drive supply range from 10 V to 20 V
• Undervoltage lockout for VBS and VCC
• 3.3 V and 5 V input logic compatible
• Tolerant to negative transient voltage
• Matched propagation delays for all channels
• RoHS compliant
产品属性
- 产品编号：
IRS21850STRPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
高端
- 通道类型：
单路
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4A，4A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
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IR |
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