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IRL630A	文件：224.31 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=9A FEATURES ♦Logic-LevelGateDrive ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):0.335Ω	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRL630A	文件：280.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
630	文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages	LowFrequencies	OSCILENT Oscilent Corporation	OSCILENT
630	文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages	COMPACTDIGITALTHERMOMETERS&THERMO-HYGROMETERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
630	文件：1.35377 Mbytes Page：11 Pages	9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
630A	文件：1.95151 Mbytes Page：6 Pages	Fastswitching Features ·Fastswitching ·100avalanchetested ·Improveddv/dtcapability Application ·DCMotorControlandClassDAmplifier ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·Automotive	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
630B	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
630C	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
630C-SERIES	文件：1.07701 Mbytes Page：12 Pages	630CSeriesRightAngleComboD-SubConnectors\|Receptacle Features Signal,alongwithpowerorcoaxialcontactswithinoneconnector SpacesavingonthePCBandI/Odesigns Availableinvariouspinoutconfigurations PinandsocketcontactmatingdesignwithP.C.tailtermination MetalshellprovidesEMI/RFIshielding,plugshellindentsprovidegro	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司	EDAC
630D	文件：87.45 Kbytes Page：1 Pages	AluminumCapacitorsElectrolytics	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
630D	文件：129.68 Kbytes Page：3 Pages	AluminumCapacitors125°C,Miniature,AxialLead	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
630D	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
630D	文件：67.39 Kbytes Page：3 Pages	AluminumCapacitors125°C,Miniature,AxialLead	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
630F	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
630FE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
630FMM	文件：54.86 Kbytes Page：2 Pages	BritishStyleBS88	COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司	COOPER
630FMM	文件：54.86 Kbytes Page：2 Pages	BritishStyleBS88690V6-700A	COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司	COOPER
630FMM	文件：53.58 Kbytes Page：2 Pages	BritishStyleBS88	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
630H	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
630HE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE

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详细参数

型号：
IRL630A
功能描述：
MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRL630A	FAIRCHILD/仙童	17+	TO-220	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳好佳好科技有限公司	IRL630A	FAI	1436+	TO-220	30000	绝对原装进口现货可开增值税发票	询价
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更多IRL630A供应商更新时间2024-5-6 14:01:00

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