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IRL6342PBF	文件：273.17 Kbytes Page：8 Pages	BATTERY OPERATED DC MOTOR INVERTER MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL6342PBF	文件：273.17 Kbytes Page：8 Pages	Battery operated DC motor inverter MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL6342PBF_15	文件：273.17 Kbytes Page：8 Pages	BATTERY OPERATED DC MOTOR INVERTER MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
6342	文件：147.31 Kbytes Page：2 Pages	ReplaceableTipPrecisionElectronicProbe FEATURES: •Miniatureprobeistheperfectsizeforprobingtiny,high-densitycircuits. •Goldplatedpogopintipkeepsconstantpressureontestpointforconsistentreadings. •Replaceableprobetips. •Safetydesigncomplieswithallthelateststandards. •FlexibleSiliconeinsulatedwi	POMONA Pomona Electronics	POMONA
6342PC	文件：175.38 Kbytes Page：2 Pages	Security&Sound,3Pair18AWG,BC,IndividuallyShielded,CMP ProductDescription Security,ProAudio&IntercomCable,Plenum-CMP,3-18AWGstrandedbarecopperpairswithFEPinsulation,IndividuallyBeldfoil®shieldedand Flamarrest®jacket	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
AMGP-6342	文件：147.32 Kbytes Page：7 Pages	40.5??43.5GHzSMTPackagedVariableGainAmplifier	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
AMGP-6342	文件：147.32 Kbytes Page：7 Pages	9dBMaximumGain	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
AMGP-6342-BLKG	文件：147.32 Kbytes Page：7 Pages	9dBMaximumGain	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
AMGP-6342-BLKG	文件：147.32 Kbytes Page：7 Pages	40.5??43.5GHzSMTPackagedVariableGainAmplifier	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
AN6342	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AN6342N	文件：131.68 Kbytes Page：3 Pages	VTRREFERENCEFREQUENCYDIVIDER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
FDG6342L	文件：1.14335 Mbytes Page：4 Pages	IntegratedLoadSwitch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDY6342L	文件：203.94 Kbytes Page：5 Pages	IntegratedLoadSwitch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDY6342L	文件：184.64 Kbytes Page：5 Pages	IntegratedLoadSwitch	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HL6342G	文件：44.5 Kbytes Page：8 Pages	633nmLasingLaserDiode Description TheHL6339G/42Gis0.63µmbandAlGaInPlaserdiodewithamulti-quantumwell(MQW)structure.LasingwavelengthofthislaserisnearlyequaltothewavelengthofHe-Negaslaser.Theyaresuitableaslightsourcesforlaserlevelers,laserscannersandopticalequipmentformeasurem	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
IRL6342TRPBF	文件：273.17 Kbytes Page：8 Pages	BatteryoperatedDCmotorinverterMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLHS6342	文件：268.37 Kbytes Page：2 Pages	SmallPowIRMOSFETs	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLHS6342PBF	文件：250.05 Kbytes Page：9 Pages	CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLHS6342PBF	文件：291.49 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLHS6342TRPBF	文件：291.49 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRL6342PBF
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14.6mOhms 11nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRL6342PBF供应商更新时间2024-5-21 14:15:00

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