IRL3803S中文资料PDF规格书
IRL3803S规格书详情
Description
Fifth Generation HEXFETs from international Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swiching speed and urggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with extrmely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Advanced Process Technology
● Surface Mount(IRL3803S)
● Low-profile through-hole(IRL3803L)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRL3803S
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
108 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
1932+ |
TO-263 |
744 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IR |
1948+ |
TO-263 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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IR |
TO-263 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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IR |
2015+ |
D2-Pak |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
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IR |
23+ |
TO-263 |
9980 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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IR |
2022 |
TO-263 |
3000 |
全新原装现货热卖 |
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IR |
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TO-263 |
12000 |
原厂原装,价格优势!13246658303 |
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IR |
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TO-263 |
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IR |
12+ |
TO-263 |
2500 |
原装现货/特价 |
询价 |
