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IRL3705NLPBF	文件：294.11 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
3705	文件：176.75 Kbytes Page：3 Pages	ROTARYMOTION\|PRECISIONSENSOR Features •BushingMount/SleeveBearing •7/8”to1-3/4”DiameterBushingMount •Wirewound3,5and10-TurnPrecisionPotentiometers	SensataSensata Technologies SensataSensata Technologies	Sensata
3705-BA	文件：160.66 Kbytes Page：2 Pages	NEMASTEELMETALBOX	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
3705-CA	文件：160.66 Kbytes Page：2 Pages	NEMASTEELMETALBOX	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ACAR3705-SB	文件：1.41966 Mbytes Page：11 Pages	LPWA/Sub-GHzCellularCeramicChipAntenna	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ACAR3705-SB-EVB	文件：1.01662 Mbytes Page：4 Pages	LPWA/Sub-GHzCellularCeramicChipAntennaEvaluationBoard	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
AO3705	文件：155.06 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAO3705/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.ASchottkydiodeisprovidedtofacilitatetheimplementationofabidirectionalblockingswitch,orforbuckconvertorapplications. AO3705andAO3705Lareelectricallyidentical. -R	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3705L	文件：155.06 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAO3705/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.ASchottkydiodeisprovidedtofacilitatetheimplementationofabidirectionalblockingswitch,orforbuckconvertorapplications. AO3705andAO3705Lareelectricallyidentical. -R	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AUIRL3705N	文件：1.029859 Mbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRL3705Z	文件：764.72 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRL3705Z	文件：384.15 Kbytes Page：15 Pages	LogicLevelAdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRL3705ZL	文件：384.15 Kbytes Page：15 Pages	LogicLevelAdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRL3705ZL	文件：764.72 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRL3705ZS	文件：764.72 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRL3705ZS	文件：384.15 Kbytes Page：15 Pages	LogicLevelAdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRL3705ZSTRL	文件：384.15 Kbytes Page：15 Pages	LogicLevelAdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRL3705ZSTRL	文件：764.72 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRL3705ZSTRR	文件：384.15 Kbytes Page：15 Pages	LogicLevelAdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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AUIRLR3705Z	文件：676.35 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
IRL3705NLPBF
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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