选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-PAK |
4000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO263 |
325 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTO263 |
3000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
6400 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
57325 |
19+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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IRD2-PAK |
12000 |
2105+ |
原装正品 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
12588 |
21+ |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRD2-PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscD2PAK/TO-263 |
175 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0ND2PAK (TO-263) |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
IRL3705ZS采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRL3705ZS图片
IRL3705ZSPBF价格
IRL3705ZSPBF价格:¥5.2511品牌:IR
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IRL3705ZS资讯
IRL3705ZS TO263 IR 55V 75A N沟道 MOS管
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRL3705ZS55V75A
IRL3705ZS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3705ZS功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3705ZSHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 86A 3PIN D2PAK - Bulk
IRL3705ZSPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3705ZSTRL制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 86A, 8 mOhm, 40 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
IRL3705ZSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube