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IRGP50B60PD1

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A Features •NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient •LowerVCE(SAT) •LowerParasiticCapacitances •MinimalTailCurrent •HEXFREDUltraFastSoft-RecoveryCo-PackDiode •TighterDistributionofParameter

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WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGP50B60PD1-EP

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A EquivalentMOSFETParameters RCE(on)typ.=61mΩ ID(FETequivalent)=50A Features •NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient •LowerVCE(SAT) •LowerParasiticCapacitances •MinimalTailCurrent •H

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IRGP50B60PD1_06

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGP50B60PD1-EP_15

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGP50B60PD1PBF

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IRGP50B60PD1-EP

包装:管件 封装/外壳:TO-3P-3 整包 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT NPT 600V 75A TO247AD

InfineonInfineon Technologies AG

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IRGP50B60PD1PBF

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 75A 390W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

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AUIRGP50B60PD1

WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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AUIRGP50B60PD1

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.35V(Max)@IC=33A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·Ultrafasttailcurrentshutoff ·AutomotiveChargers ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

AUIRGP50B60PD1E

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AUIRGP50B60PD1-E

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详细参数

  • 型号:

    IRGP50B60PD1

  • 制造商:

    IRF

  • 制造商全称:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    SMPS IGBT

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更多IRGP50B60PD1供应商 更新时间2024-5-23 17:10:00