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IRG8P25N120KDPBF中文资料PDF规格书

IRG8P25N120KDPBF
厂商型号

IRG8P25N120KDPBF

参数属性

IRG8P25N120KDPBF 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

文件大小

639.22 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-30 11:13:00

产品属性

  • 产品编号:

    IRG8P25N120KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    800µJ(开),900µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    20ns/170ns

  • 测试条件:

    600V,15A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC

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