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IRG7PH35UPBF中文资料PDF规格书
IRG7PH35UPBF规格书详情
Features
• Low VCE (ON) trench IGBT technology
• Low switching losses
• Maximum junction temperature 175 °C
• Square RBSOA
• 100 of the parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) temperature co-efficient
• Tight parameter distribution
• Lead -Free
Benefits
• High efficiency in a wide range of applications
• Suitable for a wide range of switching frequencies due to
low VCE (ON) and low switching losses
• Rugged transient performance for increased reliability
• Excellent current sharing in parallel operation
Applications
• U.P.S
• Welding
• Solar inverter
• Induction heating
产品属性
- 产品编号:
IRG7PH35UPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,20A
- 开关能量:
1.06mJ(开),620µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
30ns/160ns
- 测试条件:
600V,20A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AC
- 描述:
IGBT 1200V 55A 210W TO247AC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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