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IRG7PH35U-EP中文资料PDF规格书

IRG7PH35U-EP
厂商型号

IRG7PH35U-EP

参数属性

IRG7PH35U-EP 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT TRENCH 1200V 55A TO247AD

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件大小

379.97 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-7 9:36:00

IRG7PH35U-EP规格书详情

Features

• Low VCE (ON) trench IGBT technology

• Low switching losses

• Maximum junction temperature 175 °C

• Square RBSOA

• 100 of the parts tested for ILM

• Positive VCE (ON) temperature co-efficient

• Tight parameter distribution

• Lead -Free

Benefits

• High efficiency in a wide range of applications

• Suitable for a wide range of switching frequencies due to

low VCE (ON) and low switching losses

• Rugged transient performance for increased reliability

• Excellent current sharing in parallel operation

Applications

• U.P.S

• Welding

• Solar inverter

• Induction heating

产品属性

  • 产品编号:

    IRG7PH35U-EP

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    1.06mJ(开),620µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/160ns

  • 测试条件:

    600V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT TRENCH 1200V 55A TO247AD

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