IRG4BC20MD 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 IR/国际整流器

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1+	面议

厂家型号：
IRG4BC20MD
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
IR/国际整流器
库存数量：
50000
产品封装：
TO-220
生产批号：
22+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-26 17:23:00

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详细信息
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原厂料号：IRG4BC20MD品牌：IR

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IRG4BC20MD是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商IR/Infineon Technologies生产封装TO-220/TO-220-3的IRG4BC20MD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
IRG4BC20MD
规格书：
下载下载2
企业简称：
IRF【英飞凌】详情
厂商全称：
International Rectifier
中文名称：
英飞凌科技公司
内容页数：
10 页
文件大小：
251.74 kb
资料说明：
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)

产品参考属性

类型
描述
产品编号：
IRG4BC20MDPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，11A
开关能量：
410µJ（开），2.03mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
21ns/463ns
测试条件：
480V，11A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 18A 60W TO220AB

供应商

企业：
深圳市富芯乐电子科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
朱小姐
手机：
15919825718
询价：
电话：
0755-82789596
地址：
深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层1号10B15

IRG4BC20MD 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 IR/国际整流器

IRG4BC20MD

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