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IRG4BC10SD	文件：313.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE StandardSpeedCoPackIGBT Features •Extremelylowvoltagedrop1.1Vtyp.@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-so	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10SD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 38W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4BC10SDPBF	文件：267.75 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE StandardSpeedCoPackIGBT Features •Extremelylowvoltagedrop1.1Vtyp.@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-so	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10SD-L	文件：217.3 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10SD-L	文件：217.89 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10SD-LPBF	文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10SD-S	文件：217.3 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10SD-S	文件：217.89 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10SD-SPBF	文件：313.31 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10SD-LPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 38W TO262	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4BC10SDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 38W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRG4BC10K	文件：158.6 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedUltraFastIGBT ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Bene	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10KD	文件：210.57 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10KDPBF	文件：274.8 Kbytes Page：11 Pages	Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10KDPBF	文件：274.8 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedw	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10KDPBF	文件：265.66 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10KPBF	文件：274.8 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedw	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10S	文件：157.04 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop;1.1Vtypicalat2A •S-Speed:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives,upto2KHzinChopperApplications •VeryTightVce(on)distribution •IndustrystandardTO-220ABpackage Benef	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10SPBF	文件：266.81 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Extremelylowvoltagedrop;1.1Vtypicalat2A •S-Speed:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives,upto2KHzinChopperApplications •VeryTightVce(on)distribution •IndustrystandardTO-220ABpackage •	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC10UD	文件：184.74 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A) UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating upto80kHzinhardswitching,>200kHzin resonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousGeneration •IGBTco-packagedwith	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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产品属性

产品编号：
IRG4BC10SD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，8A
开关能量：
310µJ（开），3.28mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
76ns/815ns
测试条件：
480V，8A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 14A 38W TO220AB

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更多IRG4BC10SD供应商更新时间2024-5-2 10:54:00

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