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IRG4BC10KD中文资料PDF规格书
厂商型号 |
IRG4BC10KD |
参数属性 | IRG4BC10KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 9A 38W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
文件大小 |
210.57 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-17 13:00:00 |
IRG4BC10KD规格书详情
Short Circuit Rated UltraFast IGBT
Features
• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high switching speed
• Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes
Benefits
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses
产品属性
- 产品编号:
IRG4BC10KDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.62V @ 15V,5A
- 开关能量:
250µJ(开),140µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
49ns/97ns
- 测试条件:
480V,5A,100 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 9A 38W TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
8560 |
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23+ |
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35800 |
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IR |
23+ |
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IR |
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TO220 |
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IR |
2023+ |
TO-220 |
4675 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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IR/International Rectifier/国 |
21+ |
TO-220 |
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IR |
2015+ |
TO-220AB |
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全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
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IR |
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TO220 |
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