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IRFZ44R	文件：153.64 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFZ44R	文件：1.24175 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION AdvancedPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R	文件：1.24363 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Ultralowon-resistance •DynamicdV/dtrating •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •DropinreplacementoftheIRFZ44,SiHFZ44forlinear/ audioapplications •Materialcategorization:fordefinitionsofcompli	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R	文件：1.29269 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R	文件：1.29269 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R	文件：1.36837 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R_V02	文件：1.24363 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Ultralowon-resistance •DynamicdV/dtrating •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •DropinreplacementoftheIRFZ44,SiHFZ44forlinear/ audioapplications •Materialcategorization:fordefinitionsofcompli	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44RPBF	文件：226.79 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFZ44RPBF	文件：1.24175 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION AdvancedPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R_11	文件：1.29269 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44R_V01	文件：1.36837 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44RPBF	文件：1.29269 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFZ44RPBF	文件：1.36837 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRFZ44R
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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