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IRFSL4610	文件：381.76 Kbytes Page：11 Pages	IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610 Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFSL4610	文件：330.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFSL4610	文件：455.95 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFSL4610PBF	文件：416.81 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Lead-Free Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAv	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
4610	文件：44.45 Kbytes Page：1 Pages	HighQ,highself-resonantfrequency SpecialFeatures •HighQ,highself-resonant frequency •Highvoltageapplication •Singlelayeror3-piuniversal wound •Lowcost •Varnishcoated •Operatingtemperature: phenolic-55to+125°C iron&ferrite-55to+105°C •Currenttocause35°Cmaximum temperaturerise	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
4610H-LF	文件：61.83 Kbytes Page：1 Pages	Networks	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
4610M-LF	文件：61.83 Kbytes Page：1 Pages	Networks Material#4610M-LFSeries ProductLineNetworks	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
4610-RC	文件：108.28 Kbytes Page：1 Pages	VarnishedChokes	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
4610-RC	文件：108.28 Kbytes Page：1 Pages	HighQ,highself-resonantfrequency	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
4610X	文件：123.68 Kbytes Page：2 Pages	ThickFilmConformalSIP Features ■Leadfreeversionavailable(seeHowtoOrder“Termination”option) ■RoHScompliant(leadfreeversion)* ■LowprofileiscompatiblewithDIPs ■Wideassortmentofpinpackagesenhancesdesignflexibility ■Ammo-pakpackagingavailable ■Recommendedforrosinfluxand	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AAT4610	文件：312.67 Kbytes Page：10 Pages	CurrentLimitedLoadSwitchinSOT-23Package	ANALOGICTECHAdvanced Analogic Technologies 研诺科技研诺逻辑科技有限公司	ANALOGICTECH
AAT4610	文件：252.3 Kbytes Page：10 Pages	CurrentLimitedLoadSwitch	AATAdvanced Analog Technology, Inc. 台灣類比科技股份公司	AAT
AAT4610A	文件：270.42 Kbytes Page：11 Pages	CurrentLimitedLoadSwitch	AATAdvanced Analog Technology, Inc. 台灣類比科技股份公司	AAT
AAT4610A	文件：224.18 Kbytes Page：12 Pages	CurrentLimitedLoadSwitch	ANALOGICTECHAdvanced Analogic Technologies 研诺科技研诺逻辑科技有限公司	ANALOGICTECH
AAT4610A	文件：191.32 Kbytes Page：11 Pages	CurrentLimitedLoadSwitch	ANALOGICTECHAdvanced Analogic Technologies 研诺科技研诺逻辑科技有限公司	ANALOGICTECH
AAT4610A	文件：1.22305 Mbytes Page：11 Pages	CurrentLimitedLoadSwitch Features •InputVoltageRange:2.4Vto5.5V •ProgrammableOver-CurrentThreshold •FastTransientResponse: ▪400nsResponsetoShortCircuit •LowQuiescentCurrent ▪9μATypical ▪1μAMaxwithSwitchOff •145mΩTypicalRDS(ON) •Only2.5VNeededforON/OFFControl •Under-VoltageLo	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司	SKYWORKS
ADA4610	文件：1.021156 Mbytes Page：27 Pages		ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 PDF上传者：深圳兆威电子有限公司	AD
ADA4610S	文件：847.08 Kbytes Page：18 Pages	LowNoise,Precision,RailtoRailOutput,JFETDualOperationalAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AO4610	文件：210.84 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4610usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsmaybeusedininverterandotherapplications.ASchottkydiodeisco-packagedwiththen-channelFETtominimizebodydiodelosses.StandardPr	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4610L	文件：210.84 Kbytes Page：9 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4610usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsmaybeusedininverterandotherapplications.ASchottkydiodeisco-packagedwiththen-channelFETtominimizebodydiodelosses.StandardPr	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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详细参数

型号：
IRFSL4610
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多IRFSL4610供应商更新时间2024-5-27 17:35:00

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